讓我們進(jìn)一步去了解紫外可見(jiàn)近紅外

　　

　　分光光度法從宏觀(guān)來(lái)看是利用物質(zhì)對不同波長(cháng)光的選擇吸收特性而建立的分析方法。從微觀(guān)角度，基于分子內電子的躍遷而產(chǎn)生吸收光譜。原子或分子的外層電子在未受光照射之前，電子能量均處于Z低能級，稱(chēng)之為基態(tài)，當電子吸收光的輻射，產(chǎn)生電子能級的躍遷，形成吸收光譜。電子躍遷的能級差決定了吸收光譜的波長(cháng)及位置，因此吸收曲線(xiàn)（峰形、峰位、峰數）可以作為物質(zhì)定性分析的依據。

　　材料的結構影響其性能，對半導體材料的結構進(jìn)行表征，可以通過(guò)其電子能帶結構解析材料的光電性能，因此對半導體材料的能帶結構測試十分關(guān)鍵。

　　

　　光源的作用是提供激發(fā)能，使待測分子產(chǎn)生吸收。要求在整個(gè)紫外光區、可見(jiàn)光區和近紅外光區發(fā)射連續光譜，具有足夠的輻射強度、較好的穩定性、較長(cháng)的使用壽命。在可見(jiàn)光區及近紅外光區一般使用鎢燈作為光源，波長(cháng)范圍320-3300nm；在紫外區一般使用氘燈作為光源，波長(cháng)范圍185-320nm。